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パワー半導体デバイスのデバイス試作エンジニア

年収：800万 ～ 1000万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 パワー半導体デバイスのデバイス試作エンジニア
職種
業種
勤務地
仕事内容 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。
SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けデバイス試作（パッケージ/モジュール）を強化するための採用です。
また2022年からはGaN Projectもスタートし各々のWide Band Gap材料による特徴ある新機能性デバイスの設計・開発を行っていく。
労働条件 ・所定内労働時間：9：00－18：00

・休日：年間120日
（内訳）
完全週休二日制、土曜 日曜 祝日

・社会保険：健康保険、 厚生年金、 雇用保険、 労災保険　完備
応募資格

【必須（MUST）】

パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の1から4のいずれかの経験がある方
1.パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験
2.ファウウンドリーでのデバイス試作経験
3.デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
4.パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験


【歓迎（WANT）】

英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

受動喫煙対策

屋内禁煙
更新日 2022/11/25
求人番号 2477615

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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