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【京都市】パワー半導体デバイスの設計開発

年収:800万 ~ 1000万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 【京都市】パワー半導体デバイスの設計開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 【業務内容】
・高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、パワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。
・SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制を強化するための採用です。

【同社について】
・高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。
・SiCに強いファウンドリーが少ない中で、これまでにない半導体を生み出すために技術的な支援を推進。今後、これまで積み上げてきた技術を商品化していくための人員の強化を進めています。
・また2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行います。
・従業員数日本8名、グループ全体で25名(2022年4月時点)。大手半導体メーカーで20~30年以上の経験経験を持つメンバーが複数名在籍しています。
・定年65歳制(再雇用 上限70歳まで)のため、ベテラン技術者の方にも長期的に活躍いただける環境です。
労働条件 雇用形態:正社員
就業時間:9:00~18:00(専門業務型裁量労働制、1日あたりのみなし労働時間:8時間00分)
休⽇:⼟⽇、祝⽇
年収:500万円~1000万円
社会保険:健康保険、厚⽣年⾦、労災保険、雇⽤保険
応募資格

【必須(MUST)】

・半導体デバイスの設計開発経験

【歓迎(WANT)】

・英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2023/09/21
求人番号 2490917

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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