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部署・役職名 | SiC/IGBT パワーデバイス デザインエキスパート |
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職種 | |
業種 | |
勤務地 | |
仕事内容 |
・SiC/IGBTパワーデバイスの研究及び開発を担当していただきます。 ・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発を担当していただきます。 ・最新のパワー半導体関連技術を調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。 ・必要に応じ開発ツールの導入を推進していただきます。 |
応募資格 |
【必須(MUST)】 ・おおよそ20年以上の半導体関連技術の業務経験および10年以上のSiC/IGBTパワーデバイス研究開発経験を持ち、これらの半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に精通している。・基本的なプロセスや高性能デバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を持つ。 ・パワーデバイス信頼性評価技術に精通し、高信頼なパワー半導体製品開発ができる。 ・EDAソフトウェアツールに精通し、パワーデバイス設計が行える。 ・最新のパワー半導体技術に詳しく、学会や業界に対し広い人脈を持つ。 ・パワー半導体マーケット全般の動向に対し高い情報収集能力を持つ。 ・優れた学習能力、問題解決能力、コミュニケーション能力、職業倫理及びチームワーク精神を持っていること。 ・海外出張に対応可能であること。基本的な英語のコミュニケーション能力とリーディング、ライティングスキルを有すること。 |
アピールポイント | 自社サービス・製品あり 外資系企業 女性管理職実績あり 従業員数1000人以上 シェアトップクラス 年間休日120日以上 産休・育休取得実績あり 社内公用語が英語 |
リモートワーク | 不可 |
受動喫煙対策 | 喫煙室設置 |
更新日 | 2024/08/26 |
求人番号 | 2559022 |
採用企業情報
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