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| 部署・役職名 | MBEエンジニア |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
・MBE 装置によるデータ通信やLiDAR 用1.3μm 帯量子ドットおよび加工・バイオメデ ィカル用1μm 帯量子井戸のエピ技術開発（具体的な業務は以下）。 [1] 1.3μm 帯量子ドット：InAs 量子ドットの更なる特性改善のため高利得化 や長波長化。成長条件・成長方法の提案、エピ実施および特性確認による高性 能量子ドットの開発 [2] 1μm 帯量子井戸：1020－1180nm InGaAs 量子井戸を用いた半導体レーザ の更なる高出力化・高信頼性のための高歪系のエピ開発 ・ウェハ積層構造設計、評価、解析業務 ・MBE 装置の維持・管理 ・顧客からの問合せに対する技術対応 |
| 労働条件 |
契約期間：期間の定め無 使用期間：有（6ヶ月） 就業時間：8:40〜17:30（休憩1時間、フレックスタイム制） 休日：土日、祝日、夏季、年末年始 残業：有（平均月20時間） 年収：550万円〜1500万円 年収備考：年収には月45時間分残業代を含むもしくは裁量労働制が適用 社会保険：健康保険、厚生年金、労災保険、雇用保険 屋内の受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・MBE 結晶成長装置を用いたウェハの開発経験・MBE 結晶成長装置の稼働やメンテナンス経験 ・MBE 成長に関するメカニズム等の知識 ・エピタキシャル積層構造設計、評価、解析についての経験・知識 ・III－V 族化合物半導体（GaAs、InAs 等）についての知識、経験 ・III－V 族化合物半導体による半導体レーザの基礎知識 ・ビジネス英会話（目安：TOIEC 600 点以上） |
| リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
| 受動喫煙対策 | その他 「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください |
| 更新日 | 2023/02/03 |
| 求人番号 | 2581726 |
採用企業情報
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- IT・インターネット メーカー メディカル
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