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| 部署・役職名 | IGBTデバイスの開発・設計エンジニア ｜ フルリモートも可能、年収700～1500万円 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
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| 仕事内容 |
IGBTデバイスの開発・設計をご担当いただきます。 主な業務は以下の通りです。 ・プロセス開発（新規プロセス立ち上げ、Fab立ち上げ等） ・TCADを使用したデバイス、プロセス設計 ・レイアウト設計 など。 ご専門の内容に応じて業務内容を決定します。 ※業務の内容次第で中国への出張が必要となる場合がありますが、あくまでも出張ベースです。 【募集背景】 IGBT製品事業拡大のため、日本開発センターの人員増強のための募集です。 【配属先】 配属先となる日本支社 開発センターは、少数精鋭チームです。 まだ小さなチームですので、各人が大きな裁量をもって働ける魅力的な職場です。 やる気次第で可能性は大きく広がります。 |
| 労働条件 |
【雇用形態・雇用期間】 正社員・雇用期間の定めなし 【勤務地】 日本支社：東京都中央区東日本橋 ※在宅勤務（フルリモート）も含めて、個別相談をさせて頂きます。 【年収】 700万円～1500万円 【勤務時間】 9:00～17:00（所定労働時間：7時間） 【休日休暇】 年間休日120日 完全週休2日制（土日）、祝日、夏季・年末年始、慶弔休暇 有給休暇：初年度10日（入社半年経過時点） 【待遇・福利厚生】 昇給制度あり 賞与年2回 各種社会保険完備 試用期間3カ月有り：条件変動なし |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・半導体プロセスやデバイスの開発経験5年以上の方・年齢不問です。知識、経験、開発への気力を重視させていただきます。 【歓迎（WANT）】 ・IGBT, SiC MOS/SBD,Power MOS, FRD開発経験・IGBT裏面技術の経験 ・パワーデバイス応用技術の経験 ・プロセスインテグレータの経験 ・プロセス要素技術（熱処理、リソ、エッチ、メタライズ等）の経験 ※語学力は問いません |
| リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2024/05/15 |
| 求人番号 | 3024569 |
採用企業情報
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- 建設 メーカー 物流・倉庫
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