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SiCデバイス・プロセス開発リーダー

年収:900万 ~ 1500万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 SiCデバイス・プロセス開発リーダー
職種
業種
勤務地
仕事内容 SiCパワーデバイス・プロセス開発、プロジェクトマネジメント 

・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント
・関連企業との協業および交渉
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導
・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証など多部門との連携、交渉
応募資格

【必須(MUST)】

・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上
・150nm、200mmウエハプロセス開発経験 3年以上
・英語:プレゼンテーションが可能なレベル (TOEIC 700 程度)
・日本語:ビジネス会話ができる程度

【歓迎(WANT)】

・SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験
・海外との共同プロジェクト経験
・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識


<期待する行動、役割など(求める人物像>
・グローバルなプロジェクトマネジメント、チームマネジメント
受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2024/05/27
求人番号 3563790

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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