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SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア

年収:900万 ~ 1500万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア
職種
業種
勤務地
仕事内容 SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ、プロセス条件出し、量産化
応募資格

【必須(MUST)】

- SiCエピタキシャル成長プロセス開発の従事経験が1年以上あること
- 英語:ビジネスレベル
- 日本語:ビジネスレベル

【歓迎(WANT)】

- 4年制大学または大学院にて工学、化学、物理学等を修了していること

受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2024/05/27
求人番号 3563843

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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