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部署・役職名 | GaN半導体プロセスエンジニア |
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職種 | |
業種 | |
勤務地 | |
仕事内容 |
1、GaN半導体デバイス関連の前工程(エピタキシャル成長を除く)開発および材料検証。 2、GaN半導体デバイスの特性測定と特性評価、故障解析、データ収集とレポート作成。 3、設備のメンテナンスおよび調達などの業務の実行。 |
労働条件 |
記載① 就業時間:フレックスタイム(コアタイムあり)。 休 日:完全週休二日制(土日)、祝日。 有給休暇:入社初年度から14日間の有給休暇、夏季休暇4日間、病気休暇4日間、慶弔休暇あり。 福利厚生:健康保険、雇用保険、厚生年金、労災保険。 交通費:会社規定に基づき支給。 記載② 1. 清潔で広々としたオフィス環境。 2. シャトルバスあり。 3. スポーツ施設が充実(体育館にバドミントン/卓球/バスケットボールスペースあり,ランニングマシン)。 4. 風通しの良い、イキイキとした雰囲気。 |
応募資格 |
【必須(MUST)】 1、一つ以上の GaN 半導体前工程プロセス(露光、成膜、エッチングなど)の実務経験を有すること。2、一つ以上の GaN半導体デバイスの動作原理に精通していること。 3、物理学、電子工学、電気工学、光電工学、またはその他関連分野の修士以上の学歴を有し、半導体の原理とプロセスに関する知識を持っていること。 4、中国語または英語を業務言語として使用できることが必須。 |
アピールポイント | 自社サービス・製品あり 外資系企業 女性管理職実績あり 従業員数1000人以上 シェアトップクラス 年間休日120日以上 産休・育休取得実績あり 社内公用語が英語 |
受動喫煙対策 | 喫煙室設置 |
更新日 | 2024/09/11 |
求人番号 | 3584609 |
採用企業情報
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