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| 部署・役職名 | 材料・デバイス・プロセス研究＜電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体＞ |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
■パワーデバイス材料研究、デバイス開発をご担当いただきます。 【具体的には】 ・SiCウェハガス成長法の研究開発 ・SiCエピタキシャル成長の研究開発 ・横型GaN－HEMTのデバイス開発 ・縦型GaN－MOSFETのデバイス開発 ・α酸化ガリウム半導体研究開発 ・β酸化ガリウム半導体研究開発 ・ダイヤモンド半導体研究開発 ※同社の社員として関連会社に出向いただきます。 |
| 労働条件 |
08:40 － 17:40（コアタイム 10:10 － 15:25） 健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など 選択型福利厚生制度（カフェテリアプラン）、個別制度/住宅資金貸付、財経貯蓄、持ち株制度など 施設/独身寮、社宅、保養所、研修センター、各種文化・体育施設など 年間121日／（内訳）完全週休2日制（土日）、GW、夏季・年末年始休暇（各10日程度の連続休暇）、有給休暇（最高20日/1年）、特別休暇 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 【必須要件】以下、全てのご経験をお持ちの方・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル） ・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること 【歓迎要件】 ・第一原理計算、T－CADシミュレーション経験 ・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上） ・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上） |
| 受動喫煙対策 | その他 「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください |
| 更新日 | 2024/06/06 |
| 求人番号 | 3594370 |
採用企業情報
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- IT・インターネット メーカー
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