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デバイスおよびプロセス研究開発<電動車向けインバータ用パワー半導体>

年収:800万 ~ 1200万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 デバイスおよびプロセス研究開発<電動車向けインバータ用パワー半導体>
職種
業種
勤務地
仕事内容 同社にて、電動車向けインバータ用パワー半導体(SiC-MOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価をご担当いただきます。



【具体的には】

・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計

・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、技術動向調査

・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発

・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発

・試作品の評価、分析、解析
労働条件 08:40 - 17:40(コアタイム 10:10 - 15:25)

健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金

家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など

選択型福利厚生制度(カフェテリアプラン)、個別制度/住宅資金貸付、財経貯蓄、持ち株制度など

施設/独身寮、社宅、保養所、研修センター、各種文化・体育施設など

年間121日/(内訳)完全週休2日制(土日)、GW、夏季・年末年始休暇(各10日程度の連続休暇)、有給休暇(最高20日/1年)、特別休暇
応募資格

【必須(MUST)】

【必須要件】以下、全てのご経験をお持ちの方

・半導体に関する知識を有すること

・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験

(研究開発、量産経験は問いません)



【歓迎要件】

・パワー半導体に関する知識を有すること

・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験(3年以上)

・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者

受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2024/06/06
求人番号 3594422

採用企業情報

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