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デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア　　メモリデバイス（SARM,eFuse）担当

年収：800万～ 1500万

ヘッドハンター案件

部署・役職名	デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア　　メモリデバイス（SARM,eFuse）担当
職種	研究・開発半導体設計生産技術
業種	半導体
勤務地	東京都アメリカ・カナダ北海道
仕事内容	2nmプロセスにおける、メモリー素子（SRAM, eFuse）の開発デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、メモリーデバイスの開発を行う（SRAM, eFuse）。
応募資格	【必須（MUST）】専門性：専門性:メモリーデバイス開発及びTEG測定評価経験：メモリデバイス（SRAM, eFuse）のデバイス開発の経験者・プロセス開発の経験・TEG測定評価とその解析の経験・TEG作成経験・プロセス側、設計環境側と連携して業務を行った経験
リモートワーク	可「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策	その他「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日	2024/06/10
求人番号	3603408

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