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| 部署・役職名 | SiCパワーデバイス開発エンジニア |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■ウェハプロセス開発／インテグレーション 例：構想検討～量産技術確立 ■デバイス構造設計／インテグレーション ■他部門との連携 例：設計部、生産技術部、品質保証部など |
| 労働条件 |
09:00 － 17:30 健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 通勤手当、家賃補助（賃貸、32歳まで支給対象（条件あり））、時間外勤務手当 財形貯蓄制度、従業員持株会制度、育児支援制度、介護支援制度 年間125日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始、有給休暇、慶事休暇、GW休暇 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 【必須要件】下記いずれも必須■半導体デバイス構造設計もしくはプロセス開発経験（3年以上） 分野：化合物半導体（GaN、LED用途、高周波用途など）、シリコン半導体（メモリ、CMOSイメージセンサなど） ■ビジネスレベルの英語力 例：顧客とのオンライン会議、メール対応など 【歓迎要件】 ■パワーデバイス（IGBT、パワーMOS（Si,SiC）開発経験 ■半導体物理、半導体材料物性、半導体要素プロセスに関するご知見・ご経験 ■ウェハプロセス試作のご経験 ■TCADシミュレーションスキル ■TEGレイアウトスキル ■デバイス電気特性評価スキル ■海外との共同プロジェクト経験 ■パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 |
| 受動喫煙対策 | その他 「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください |
| 更新日 | 2024/06/27 |
| 求人番号 | 3651727 |
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