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SiCパワーデバイス・プロセス開発

年収：800万 ～ 1300万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 SiCパワーデバイス・プロセス開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 ■SiCパワーデバイス・プロセス開発、マネジメント業務をご担当いただきます。



【具体的には】

■構想検討～量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント

■関連企業との協業および交渉

■デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導

■要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など、多部門との連携、交渉
労働条件 09:00 － 17:30

健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金

通勤手当、家賃補助（賃貸、32歳まで支給対象（条件あり））、時間外勤務手当

財形貯蓄制度、従業員持株会制度、育児支援制度、介護支援制度

年間125日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始、有給休暇、慶事休暇、GW休暇
応募資格

【必須（MUST）】

【必須要件】以下いずれか必須

■パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上

■SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上

■150nm、200mmウエハプロセス開発経験 3年以上



【歓迎要件】

■TCADを使用した経験、知見

■IGBT、SiCモジュール実装に関する知見

■インバータシステムに関するご知見

受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2024/06/27
求人番号 3651728

採用企業情報

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