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| 部署・役職名 | アナログ半導体開発エンジニア（①SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア ②RFデバイス開発エンジニア） |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
◆半導体デバイス開発エンジニア職で下記2職種で人材募集行っております。 ①SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア RFデバイス並びにSi Photonicsのデバイス／インテグレーション 開発エンジニア RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、 もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーション を行う。 ■具体的な職務内容 • 顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のあるデバイス（FET、各種能動／受動素子）を開発する。 • プロセス開発とデバイス開発を盛り込んだSiウエーハ作製フローを構築し、開発ウエーハ作製を具体化する。 • 顧客やベンダーなどと技術のやり取りを通じて、満足度を与えながら開発課題の対応を行う。 • 国内外のチームメンバーと円滑なコミュニケーションとチーム内の技術調整。 • 英語による国外関係者との技術調整。 ②RFデバイス開発エンジニア RFデバイス（主にRF SOI）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性 技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行う。 ■具体的な職務内容 • 顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のあるデバイス（FET、各種能動／受動素子）を開発する。 • 顧客やベンダーなど外部との技術議論を通じて、満足度を与えながら開発課題の対応を行う。 • 国内外のチームメンバーと円滑なコミュニケーションとチーム内の技術調整。 • 英語による国外関係者との技術調整。 ＜勤務地＞ ・富山県魚津市の同社本社（①SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア ②RFデバイス開発エンジニア） ＜補足：就業環境など＞ ・単身赴任社宅や、単身赴任手当、帰宅旅費支給（月1回以上）など の制度もあり、働きやすい環境の企業です。 |
| 労働条件 |
雇用形態：正社員（但し試用期間あり：3ヶ月間） 勤務時間：8時間就労（8:30～17:15）、休憩時間45分、フレックスタイム制度あり（ノンコアフレックス）、リモートワーク制度もあり、 休日休暇：年間休日126日、完全週休2日制（土日祝）、メーデー（5月1日）、夏季休暇、GW、年末年始休暇、有給休暇20日間／年（5日間は一斉取得） 福利厚生等：通勤手当、退職金DC制度あり、単身赴任手当、単身赴任者帰省旅費、寮・社宅・住居費補助制度等あり、社員食堂・売店あり、入社前検診費用会社負担、屋内原則禁煙（喫煙指定場所あり） 勤務地変更の範囲：本社・魚津地区／砺波地区／長岡京事業所又は労働者の自宅 業務の変更の範囲：会社が定める業務 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・半導体デバイス・プロセスの開発経験や知識を所持している方。【歓迎（WANT）】 ・RF/光学デバイス・プロセスの開発経験、知識のある方。 |
| リモートワーク | 不可 |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2024/12/06 |
| 求人番号 | 3700571 |
採用企業情報
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- 会社規模501-5000人
この求人の取り扱い担当者
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- IT・インターネット メーカー エネルギー
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