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プロセス開発＜半導体ウエハ＞

年収：800万 ～ 1000万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 プロセス開発＜半導体ウエハ＞
職種
業種
勤務地
仕事内容 ■半導体ウエハプロセス開発者業務として、適正に応じて以下4つの業務いずれかをご担当いただきます。



【具体的には】

・GaN HEMTのウエハプロセス開発

・多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発

・放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術）

・受動素子（キャパシタ、インダクタ、抵抗）形成プロセス開発
労働条件 08:30 － 17:15

健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金

家族手当、家賃補助手当、通勤交通費、独身寮、社宅等

財形住宅貯蓄、企業年金基金、確定拠出年金制度、共済会、持株会、カフェテリアプラン制度（自主選択型福利厚生制度）、育児休業（満3歳到達まで）、短時間勤務（小学6年の3月末日まで）、介護休業（2年まで）、ジョブリターン制度

年間120日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始休暇、リフレッシュ休暇、慶弔休暇、積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能）、5日連続有給休暇、計画有休制度（年5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇、有給休暇：初年度は入社月による（2年目以降20日）
応募資格

【必須（MUST）】

【必須要件】

■TOEIC 550点以上、または同等の英会話能力をお持ちの方で、以下いずれかのご経験をお持ちの方

・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者

・プロセス装置の選定／導入／立上げ経験者

・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者

・高周波増幅器（GHzオーダ）のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル

受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2024/07/31
求人番号 3736594

採用企業情報

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