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部署・役職名 | レッドエピタキシャル開発スペシャリスト |
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職種 | |
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仕事内容 |
職務内容: 1. 新しい GaAs エピタキシャル構造の研究開発、プロセスのデバッグと生産変換、プロセス仕様の策定および様々なプロセス標準文書とプロジェクト技術情報の調査、レポート。 2. GaAsエピタキシャルプロセス技術の研究開発を担当し、エピタキシャル装置と材料の評価と検証、装置に適合したプロセスの開発、プロセス欠陥の削減、プロセス条件の改善、関連する技術的問題の分析と解決において生産部門を支援し、メンテナンスを行う。プロセスの安定性を高め、製品の歩留まりを向上させる。 3. 製品および市場とのコミュニケーションを行い、新製品のエピタキシャル特性の改善要件と新しい市場アプリケーションの傾向を調査し、エピタキシャルエンジニアリングおよび関連部門と連携してプログラム計画を確認し、量産可能なソリューションを実現する。 4. 業界の新素材と新技術の概要分析(競合製品分析と文献調査)を担当し、拡張関連の特許の作成。 5. 部門リーダーから割り当てられたその他の事項を完成。 |
応募資格 |
【必須(MUST)】 1. エピタキシャル赤外線プロセスの研究開発経験者。 miniエピタキシャル成長の経験者は尚可。2. 博士修了以上(物理学、マイクロエレクトロニクス、材料およびその他の関連専攻) ※LED エピタキシーの経験 5 年以上の方は修士修了以上。 3. 半導体材料および半導体物理学の基礎知識を有し、ヒ化物、リン化物のエピタキシャル成長または類似のプロセスに関する学術的または研究的背景を有する方。 4. PL、HR-XRD、ECV、ホールなどエピタキシャル試験装置の使用経験のある方。 5. SEM、TEM、SIMS などの使用経験。 6. 英語のリスニング、スピーキング、読み書きのスキルを有すること。 【歓迎(WANT)】 1. MOCVD 材料成長の直接の経験と Aixtron 装置の使用経験を持つ応募者を優先する。2. 論理的判断能力とデータ統計分析能力を有し、FMEA、8D、SPC、DOE スキルを有し、Microsoft Office ソフトウェアなどに精通していること。 3. 独立した科学研究思考、強力な科学研究能力、コミュニケーション能力、チーム精神を持っていること。 |
アピールポイント | 外資系企業 女性管理職実績あり 2年連続売り上げ10%以上UP 年間休日120日以上 産休・育休取得実績あり 海外事業 成果報酬型 |
受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
更新日 | 2024/09/20 |
求人番号 | 3834163 |
採用企業情報
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