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SiCウェハ加工・デバイスプロセス技術開発及び生産システム開発

年収:800万 ~ 1300万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 SiCウェハ加工・デバイスプロセス技術開発及び生産システム開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 革新工法開発のリーディングと将来的には、革新的生産システム構築をご担当いただきます。

・ SiCインゴットのスライス、研削研磨加工技術の開発

・ 上記開発技術の量産適用技術・工程開発

・ ウェハ加工工程全体の量産ライン設計・開発

・ 実証ラインの立上げ

・ 大口径化に向けた量産工法の確立

・ SiC材料ロス最小化に向けた次世代生産システム開発

・ 革新的生産システム設計・開発
労働条件 08:40 - 17:40(コアタイム 10:10 - 15:25)

健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金

家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など

選択型福利厚生制度(カフェテリアプラン)、個別制度/住宅資金貸付、財経貯蓄、持ち株制度など

施設/独身寮、社宅、保養所、研修センター、各種文化・体育施設など

年間121日/(内訳)完全週休2日制(土日)、GW、夏季・年末年始休暇(各10日程度の連続休暇)、有給休暇(最高20日/1年)、特別休暇
応募資格

【必須(MUST)】

【必須要件】以下、全てのご経験をお持ちの方

・パワー半導体材料の加工・デバイスプロセスに関する研究または生産技術開発の実務経験 5年以上

・半導体設備導入・立上経験



【歓迎要件】

・生産技術開発プロジェクトの推進・マネジメント経験

・パワー半導体材料・半導体デバイスの分析・評価技術に関する知見を広く有すること

受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2024/09/26
求人番号 3903264

採用企業情報

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