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パワー半導体デバイス設計・開発、パワー半導体デバイスのファウンドリーでのデバイス試作エンジニア、       パワー半導体デバイス信頼性評価技術開発、汎用または車載用パワーモジュールの設計・開発者 

年収:800万 ~ 1100万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 パワー半導体デバイス設計・開発、パワー半導体デバイスのファウンドリーでのデバイス試作エンジニア、       パワー半導体デバイス信頼性評価技術開発、汎用または車載用パワーモジュールの設計・開発者 
職種
業種
勤務地
仕事内容 業界最先端のSiC、GaN、Si等のパワーデバイスの設計、開発を行います。
・台湾に本拠地を置く本社(パワー半導体デバイスの開発、製造、販売)から開発依頼を受け、パワーデバイス・モジュールの設計・開発を行います。
・日本及び台湾等を拠点とするエンジニアと協力して開発を進めて頂きます。
・大学などの研究機関、提携会社との垂直統合型の連携も進めてリーディングカンパニーを目指します。
労働条件 年  収: 600万円~1100万円(+ストックオプション制度有り)
勤務時間: 9:00~17:00 (休憩時間1時間)
待  遇: 健康保険、労災保険、失業保険、厚生年金完備
休  日: 土日祝日、年末年始、年間121日  
休  暇: 慶弔休暇、年次休暇 
屋内原則禁煙(喫煙室あり)
応募資格

【必須(MUST)】

パワー半導体デバイス(Si、SiC、GaN)の設計、開発、製造に関して以下の経験がある方。
・パワー半導体デバイス(SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等)のデバイス(チップ)の開発・設計、プロセスインテグレーション開発
・ファウンドリーでのデバイス試作用プロセス全体の指示
・デバイスの信頼性評価(TEG作成からTDDB評価など)
・レイアウト技術(GDS)
・デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用
・仮歩留まりチップの不良解析、歩留まり向上対策
・パワー半導体デバイスのPKG、モジュールの設計・開発
・最先端パワーデバイスの調査及び新規デバイス構造の提案
・汎用または車載用パワーモジュールの設計・開発
     


【歓迎(WANT)】

英語もしくは中国語でのコミュニケーションのできる方

リモートワーク

不可

受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2024/10/04
求人番号 3931337

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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