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| 部署・役職名 | パワーデバイスの結晶成長エンジニア |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
■MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs InP AlN GaN関連材料）の結晶成長業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・GaAs系 InP径赤外LED・PDの結晶成長に関する業務 ・高効率化に向けたMOCVDを用いたプロセス条件最適化・MOCVD装置設計の最適化 ・GaN系パワーデバイスの結晶成長に関する業務 ・MOCVDを用いたプロセス条件最適化・MOCVD装置設計の最適化 |
| 労働条件 |
08:00 － 16:30 健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 通勤手当、住宅手当、家族手当、時間外手当 寮・社宅、退職金、財形貯蓄、保養所、企業年金制度、住宅提携ローン、共済会制度、運動施設、研修所 年間120日／（内訳）週休2日制（土日祝）、年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）、年末年始休暇、メーデー、創立記念日、慶弔休暇、リフレッシュ休暇ほか |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 【必須要件】■半導体や電子材料に関するプロセスエンジニアまたはプロセス開発経験をお持ちの方 【歓迎要件】 ■化合物半導体に関する知見をお持ちの方 ■MOCVDを用いた結晶成長技術の知見をお持ちの方 |
| 受動喫煙対策 | その他 「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください |
| 更新日 | 2024/11/07 |
| 求人番号 | 4012729 |
採用企業情報
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- 建設 メーカー 物流・倉庫
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