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パワーMOSFETブロック 設計エンジニア － 総合半導体メーカー
年収：800万 ～ 1000万
採用企業案件
ルネサス エレクトロニクス株式会社
| 部署・役職名 | パワーMOSFETブロック 設計エンジニア － 総合半導体メーカー |
|---|---|
| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
・性能や動作領域、電源仕様を満たすセンスMOSFETや温度センサを含んだ、パワーMOSFETブロックの設計・検証・シミュレーション業務 ・アナログブロックのリードと協力し、IPD 製品のシステムおよび設計戦略を行う ・パワー FET の技術的リーダーシップを発揮し、仕様決定から量産段階まで推進します。 |
| 労働条件 |
契約期間：期間の定めなし 試⽤期間：あり（3カ⽉） 就業時間：8:45～17:30（基本実働7.75時間、休憩60分）*フレックス制度あり（コアタイム無し） 年間有給休暇日数：入社年度分の付与1日～23日（入社月で異なる）入社翌年度分の付与25日 年間休日数：132日（年間休日125日+特別休暇2日+夏休み（5日：各人の有休消化）） 在宅勤務制度：あり。ハイブリッド型 社会保険：健康保険、厚⽣年⾦、労災保険、雇⽤保険 受動喫煙防⽌措置：屋内原則禁煙（喫煙専⽤室設置） *労働条件詳細については、⾯談時にお伝えします。 【勤務予定地】 武蔵事業所（東京都小平市） |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・半導体エンジニアとして5年以上の経験・製品開発の各要素（設計手法、設計プロセス、CAD ツール、テスト設計、物理設計、システムアプリケーション）に精通していること ・ドライバーICの熱設計の理解があること ・経験の浅いチームメンバーをサポートし、指導する能力があること ・英語力：日常会話ができる程度（目安TOEIC 600） ・日本語力：日常会話ができる程度 【歓迎（WANT）】 ・車載向けのアプリケーションまたは製品の開発経験・スマートパワーICまたはパワーMOSFET製品ラインの経験 |
| アピールポイント | 自社サービス・製品あり 日系グローバル企業 上場企業 従業員数1000人以上 シェアトップクラス 年間休日120日以上 産休・育休取得実績あり 教育・研修制度充実 女性管理職実績あり Uターン・Iターン歓迎 マネジメント業務なし 完全土日休み フレックスタイム |
| リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2024/11/11 |
| 求人番号 | 4021717 |
採用企業情報
- ルネサス エレクトロニクス株式会社
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