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ウエハプロセス開発エンジニア － 総合半導体メーカー
年収：800万 ～ 1000万
採用企業案件
ルネサス エレクトロニクス株式会社
| 部署・役職名 | ウエハプロセス開発エンジニア － 総合半導体メーカー |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
1) プロセス開発戦略ロードマップの構築と推進 プロセス&デザインチームと緊密に連携して、ロードマップの技術的ギャップを理解し、現在および将来のプロジェクトのプロセス開発戦略を作成および推進します。 2) ウェーハプロセス開発案件の作成 製品開発チーム(システム、設計)からのプロセス要件を調整し、内部および外部の開発のための明確で簡潔なウエハプロセスの開発要求を作成します。この過程の一環として、外部市場への要求に対してベンチマークを実施し、将来の開発が市場より進んでいるか同等であることを確認します。 3) 開発管理 実開発で発生する技術項目のクローズを推進します。開発チームと上級管理職に進捗状況の最新情報を伝達します。 4) 技術的なインプットとガイダンス 社内外の市場ベンチマーキングによるウェーハプロセス選定に関与 コスト構造を含むウェーハプロセスの改善を推進 PDK設計ルールの更新と改善の推進。 IP仕様(ESD、標準セル、OTPなど)の確認 |
| 労働条件 |
契約期間：期間の定めなし 試⽤期間：あり（3カ⽉） 就業時間：8:45～17:30（基本実働7.75時間、休憩60分）*フレックス制度あり（コアタイム無し） 年間有給休暇日数：入社年度分の付与1日～23日（入社月で異なる）入社翌年度分の付与25日 年間休日数：132日（年間休日125日+特別休暇2日+夏休み（5日：各人の有休消化）） 在宅勤務制度：あり。ハイブリッド型 社会保険：健康保険、厚⽣年⾦、労災保険、雇⽤保険 受動喫煙防⽌措置：屋内原則禁煙（喫煙専⽤室設置） *労働条件詳細については、⾯談時にお伝えします。 【勤務予定地】 武蔵事業所（東京都小平市） |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 テクニカルスキル：- 信頼度要求の理解 （HCI, HTRB,PBTI,NBTI, 車載規格） - デバイス技術の理解 (破壊現象, 寄生Bip動作, 熱伝導, PKGストレス, spice model等) - システム要求とデバイス要求の関連性の理解 （製品のシステム要求性能と素子性能の関係を理解する） - Fabコストの仕組みの理解。 マネージメントスキル： - 年間計画策定。 - 開発進捗の管理 - 開発部門、サプライヤとの交渉 語学スキル： 英語 日常会話レベル以上 日本語 日常会話レベル以上 【歓迎（WANT）】 パワーデバイス経験があればよい電源（LDO,DC-DC) モータドライバ スイッチ |
| アピールポイント | 自社サービス・製品あり 日系グローバル企業 上場企業 従業員数1000人以上 シェアトップクラス 年間休日120日以上 産休・育休取得実績あり 教育・研修制度充実 女性管理職実績あり Uターン・Iターン歓迎 マネジメント業務なし 完全土日休み フレックスタイム |
| リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2024/12/15 |
| 求人番号 | 4021729 |
採用企業情報
- ルネサス エレクトロニクス株式会社
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