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| 部署・役職名 | 電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
・SiCウェハガス成長法の研究開発 ・SiCエピタキシャル成長の研究開発 ・横型GaN－HEMTのデバイス開発 ・縦型GaN－MOSFETのデバイス開発 ・α酸化ガリウム半導体研究開発 ・β酸化ガリウム半導体研究開発 ・ダイヤモンド半導体研究開発 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること 【歓迎（WANT）】 ・第一原理計算、T－CADシミュレーション経験・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上） ・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上） |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2024/11/16 |
| 求人番号 | 4047047 |
採用企業情報
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この求人の取り扱い担当者
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- メーカー
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- モビリティ領域の企業様を多数担当 国内主要モビリティメーカーを初め、外資系を含めたTier1,2メーカーまで幅広くご紹介可能 職種範囲は「研究開発」「生産技術」「品質」「営業・マーケティング」など様々 ご相談も含め、是非ともお声がけくださいませ！
- (2024/11/05)
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