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化合物半導体を用いた高周波デバイス・光デバイスの研究開発
年収：800万 ～ 1200万
採用企業案件
富士通株式会社
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- 資本金325,600百万円
- 会社規模5001人以上
- その他
| 部署・役職名 | 化合物半導体を用いた高周波デバイス・光デバイスの研究開発 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
【組織としてのミッション（事業部/部）】 世界有数のマテリアルサイエンスとデバイステクノロジーでイノベーションを創出し、強靭性と利便性を兼ね備えたレジリエントな社会の実現に貢献する 【募集範囲と具体的業務内容】 将来通信のキーデバイスであるGaN材料系高周波パワーアンプや、重要施設の監視・インフラ点検等に用いる高感度赤外線センサなど、化合物半導体を用いた光・電子デバイスの研究開発を行い、自社製品の高性能化と顧客訴求力向上に貢献する。 高周波パワーアンプについては、電波送信の容量や到達距離を飛躍的に高めるための、高性能かつ省電力なトランジスタとその集積回路を開発する。 赤外線センサについては、入射する赤外線を高い効率で電気信号に変換する受光素子と、電気信号を増幅して画像として出力する読出回路と、その集積化技術を開発する。 【個人に期待する役割やミッション】 本ポジションは、材料レベルから半導体デバイスの研究開発を行い、性能を飛躍的に向上させることがミッションとなります。 キーとなる部分の研究を単独で行う側面と、複数名のチームでデバイス/回路の試作評価を行う側面があります。材料/デバイスに対する深い洞察力と共に、新原理/新構造を創出する発想力に期待します。 【仕事の魅力・やりがい】 自らが研究開発で創り出した革新的なデバイスをチーム一丸となって作製し、社会実装に繋げることができ、モノづくりの醍醐味を味わうことができます。また、材料・デバイス・回路・実装と幅広いレイヤを扱っており、全体を俯瞰した研究開発ができます。 なお、本人の意向次第ではごく一部にフォーカスする深堀型の研究も可能ですし、全てのレイヤを一人でこなすべく様々なスキルを習得することも可能です。 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 以下1項目以上の経験必須・高周波回路設計とその特性評価 ・半導体デバイス開発 ・光学センサ開発 ▼語学力 英語：日常会話レベル 日本語：ビジネス会話レベル以上を希望 【歓迎（WANT）】 ・CAD・半導体プロセス開発 ・デバイスや電磁界などのシミュレーション ・電気的・光学的な評価 |
| アピールポイント | 自社サービス・製品あり 日系グローバル企業 女性管理職実績あり 上場企業 従業員数1000人以上 シェアトップクラス 創立30年以上 年間休日120日以上 産休・育休取得実績あり 社内ベンチャー制度あり 教育・研修制度充実 資格支援制度充実 |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2024/12/19 |
| 求人番号 | 4155850 |
採用企業情報
- 富士通株式会社
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- 資本金325,600百万円
- 会社規模5001人以上
- その他
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会社概要
【設立】1935年6月20日
【代表者】代表取締役社長 時田 隆仁
【資本金】3,256億円（2024年3月31日現在）
【売上高】3兆7,560億円 2023年度※連結
【従業員数】124,000名（グローバル）※2024年3月31日現在
【本社所在地】神奈川県川崎市中原区上小田中4-1-1
【事業内容】 テクノロジーソリューション、ユビキタスソリューション、デバイスソリューション
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