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SiC－MOSFETデバイス開発者

年収：800万～ 1000万

採用企業案件

採用企業

部署・役職名	SiC－MOSFETデバイス開発者
職種	半導体設計研究・開発生産技術
業種	半導体電気・電子
勤務地	埼玉県
仕事内容	＜仕事の内容＞当社はパワーエレクトロニクスのトップクラスメーカーとして家電・情報通信・自動車など様々な分野へ、半導体製品やIC製品、電装製品、エネルギーシステム製品を提供しています。本求人はパワー半導体製品の中でも「SiC-MOSFETのデバイス開発およびプロセス開発」をお任せします。＜詳細＞ SiC-MOSFETのデバイス開発およびプロセス開発を担当していただきます。 RonA特性の性能向上など、デバイス（チップ）構造および成膜プロセスに関する開発業務と試作品の性能評価を行います。＜当社の魅力＞これからの電子機器の高機能化において電力制御をつかさどるパワーエレクトロニクス技術の重要性は増しております。当社はその中でも通信機器の電源技術、車載品質の電源技術、大電力/高品質の充電器技術に加え、それらのキーデバイスであるパワー半導体まで手掛けている世界を見ても稀有なメーカーです。また、車載電動化においてはインフラ側のEV充電器、車載側のコンバータ/インバータ/ECUなどインフラから車体側迄一気通貫の電源製品をラインナップしており、それらの技術には当社のパワー半導体がカスタマイズされ使われております。電源エンジニアにおいては自社のパワー半導体エンジニアと相談しながら開発できる魅力、パワー半導体エンジニアからすると、顧客となる電源エンジニアが歩けばすぐ近くにいる環境が当社最大の強みであり、電源技術、実装技術、ソフトウエア技術、半導体技術を組み合わせた独自の技術を構築しております。また、管理職/専門職のコースがあり、マネジメントだけでなく、最前線のエンジニアとして昇進する道も用意されております。＜当社の働き方＞フレックス勤務/在宅勤務が完備されており、それらを柔軟に活用できる働き方は強みです。また勤務地である埼玉県朝霞市は池袋駅まで電車で約15分と都心に近く、通いやすい、生活しやすい立地です。社風としては真面目で誠実な方が多く、中途社員比率も30％を超えるなど、新卒/中途関係なく切磋琢磨できる環境です。※参考として半導体事業の事業部長は中途出身です。
労働条件	＜雇用形態＞・正社員（期間の定めなし）・試用期間あり：2か月（変更なし）＜給与＞・月給制＜勤務地＞・埼玉県朝霞市・転勤当面なし＜勤務時間＞・所定労働時間7時間30分・フレックスタイム制あり（コアタイム:10:30～14:30）・在宅勤務制度適用・休憩60分・残業有＜休日・休暇＞・年間休日130日・有給休暇有（16～24日）（最大2年間保有可、半日利用可、取得率60％）・勤続年数ごとのリフレッシュ休暇・半日休暇/時間休暇有・産休/育休完備＜社会保険＞・健康保険・厚生年金保険・雇用保険・労災保険＜制度・福利厚生＞・通勤手当（会社規定に基づき支給）・残業手当（残業時間に応じて別途支給）・在宅勤務手当・退職金制度あり・借り上げ社宅制度・在宅勤務規定/財形貯蓄・住宅融資・各種研修、教育制度あり・クラブ活動あり
応募資格	【必須（MUST）】・半導体プロセス開発/デバイス開発のご経験【歓迎（WANT）】以下のような経験・スキルがある方は大歓迎です！・SiC-MOSFETはの製品開発業務の実務経験・プロセスシミュレータのスキル・デバイスシミュレータのスキル・CAD設計のスキル・静特性/動特性測定、信頼性試験のスキル・半導体デバイスに関する特許取得
アピールポイント	自社サービス・製品あり日系グローバル企業女性管理職実績あり上場企業従業員数1000人以上シェアトップクラス創立30年以上年間休日120日以上産休・育休取得実績あり教育・研修制度充実資格支援制度充実完全土日休みフレックスタイム
リモートワーク	可「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策	喫煙室設置
更新日	2024/12/17
求人番号	4163091

採用企業情報

新電元工業株式会社

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