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| 部署・役職名 | プロセス開発エンジニア＜GaN＞ |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
■同社にて、パワー半導体＜GaN＞におけるプロセス開発の下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ■パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術の開発 ・安定生産を実現する量産化技術の開発 ■パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発 ・化合物半導体（GaN系）のプロセス要素技術開発（成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など） ・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発（電極構造の形成、共振器構造の形成など） ・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価 |
| 労働条件 |
08:30 － 17:00 健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 通勤手当、超勤手当、育英給付金など 社宅、財形貯蓄、保養所、医療施設、企業年金制度など 年間127日／（内訳）完全週休2日制（土日）、祝日、夏季休暇（一斉年休含む）、年末年始、有給休暇、慶事休暇、長期節目休暇、ファミリーサポート休暇、キャリア開発休暇など |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 【必須要件】■パワー半導体製品のプロセス開発業務経験 |
| 受動喫煙対策 | その他 「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください |
| 更新日 | 2025/01/08 |
| 求人番号 | 4236323 |
採用企業情報
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