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リソグラフィー プロセスエンジニア
年収：1000万 ～ 1300万
採用企業案件
日本ルメンタム株式会社
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- 資本金200百万円
- 会社規模非公開
- 半導体
| 部署・役職名 | リソグラフィー プロセスエンジニア |
|---|---|
| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
（1）光デバイス開発/製造に関するリソグラフィ工程のマネジメント業務 （2）光デバイス製造工程における工程改善、歩留向上、生産不具合対応等の生産技術業務対応 （3）光デバイス開発/製造に関する新規ウエハプロセス技術の開発 （4）光デバイス製造工程の能力改善に向けた新規導入ウエハプロセス装置の選定、提案および立ち上げ 【ポイント】 ・担当する光デバイス製造工程において、日々の工程改善、歩留向上、生産不具合対応等の生産技術業務及びチームのマネジメント業務に従事する。ウエハプロセス工程の歩留向上に向けて、積極的な改善内容の提案が期待される。特に、縮小投影型露光装置や電子線描画装置を使用した工程改善等の能力が要求される。 ・メガデータセンタやAI/MLに必要不可欠である最先端の高速光デバイス開発に必要な新規ウエハプロセス技術を開発し、また新規生産装置の導入に向けた選定/提案と立ち上げを行う。 |
| 労働条件 |
勤務地：神奈川県相模原市 勤務時間：９時００分～１７時３０分 手当・福利厚生：社会保険完備、退職金制度、福利厚生（通勤手当全額支給、財形貯蓄、カフェテリアプラン等有） 年間休日：125日 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・半導体光デバイスの開発または製造工程において、同業界経験が５年以上あること。かつウエハプロセス生産技術業務の担当経験が学部卒5年以上、修士卒で8年以上有ること。但し、博士卒についてはウエハプロセス生産技術業務経験の有無は問わない。 ・英文でのメールやり取り、PPT資料作成、オンライン会議での英語での議論等に抵抗なく対応できる程度の英語能力を有ること。 【歓迎（WANT）】 化合物半導体ウエハプロセスにおいて、縮小投影型露光装置や電子線描画装置による工程改善およびウエハプロセス生産技術業務経験が要求される。ウエット/ドライエッチング、酸化膜堆積、スパッタリング、メタル蒸着等の実務経験があれば尚良い。 英語：ビジネスレベル初級～中級レベル。TOEICで650点有れば尚良い。 |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2025/02/07 |
| 求人番号 | 4251959 |
採用企業情報
- 日本ルメンタム株式会社
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- 資本金200百万円
- 会社規模非公開
- 半導体
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会社概要
【設立】2000年9月
【代表者】岩藤 泰典
【資本金】2億円
【本社所在地】神奈川県相模原市中央区小山4-1-55
【事業内容】通信用光半導体素子の研究開発・設計・製造・販売
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