1. 転職サイト ビズリーチ
  2.  > 
  3. 求人検索
  4.  > パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計

転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録(無料)が必要です

新規会員登録(無料)

パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計

年収:800万 ~ 1300万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計
職種
業種
勤務地
仕事内容 【業務内容】パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。
・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様
・プロセス設計・単結晶製造設備制御技術開発
・ウェハ製造のための、生産技術開発
・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計
・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理
・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝・開発技術の権利化
労働条件 契約期間:期間の定め無
使用期間:無
就業時間:フレックスタイム制/標準労働時間8h コアタイム10時10分から14時25分
休日:週休2日制
残業:有
年収:400万円~1300万円
社会保険:健康保険、厚生年金、労災保険、雇用保険
屋内の受動喫煙対策:屋内禁煙、屋内原則禁煙(喫煙室あり)
応募資格

【必須(MUST)】

<MUST要件>
・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ
  以下いずれかのご経験をお持ちの方
・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方
・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方
・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方
・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方
・半導体装置(結晶成長、加工、エピ)開発、設計を3年以上お持ちの方

<WANT要件>
下記のいずれかの知識・経験を有している方
・気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験
・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識
・パワー半導体材料、単結晶に関する知識
・技術開発における推進リーダ経験
・海外企業との折衝経験
・語学力(英語):海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル(TOEIC610点以上)


リモートワーク

不可

受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2025/02/08
求人番号 4325143

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

  • 2.81
    ?
  • ヘッドハンターの氏名は会員のみ表示されます
  • 会社名は会員のみ表示されます

    • 東京都
    • 東邦大学
  • メーカー
    • 自動車産業のOEM,Tier1を中心にスカウト活動をしております。自動車産業はCASEと言われる100年に1度の大変革期であり、自動車業界は大変な人手不足となっております。キャリアコンサルティングの知見を活かして求職者の皆様のキャリアアップのお手伝いをさせていただければ幸いです。
    • (2024/04/09)

転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録(無料)が必要です

新規会員登録(無料)

<< 検索結果に戻る